400G PAM4神馬東西?

簡介

業界普遍認為,混合波束賦形(例如圖1所示)將是工作在微波和毫米波頻率的5G系統的首選架構。這種架構綜合運用數字(MIMO) 和模擬波束賦形來克服高路徑損耗并提高頻譜效率。如圖1所示,m個數據流的組合分割到n條RF路徑上以形成自由空間中的波束,故天線元件總數為乘積m × n。數字流可通過多種方式組合,既可利用高層MIMO將所有能量導向單個用戶,也可以利用多用戶MIMO支持多個用戶。

圖1. 混合波束賦形框圖

圖1. 混合波束賦形框圖

本文將考察一個簡單的大規模天線陣列示例,借以探討毫米波無線電的最優技術選擇?,F在深入查看毫米波系統無線電部分的框圖,我們看到一個經典超外差結構完成微波信號到數字信號的變換, 然后連接到多路射頻信號處理路徑,這里主要是運用微波移相器和衰減器來實現波束賦形。

傳統上,毫米波系統是利用分立器件構建,導致其尺寸較大且成本較高。這樣的系統里面的器件使用CMOS、SiGe BiCMOS和GaAs等技術,使每個器件都能得到較優的性能。例如,數據轉換器現在采用CMOS工藝開發,使采樣速率達到GHz范圍。上下變頻和波束賦形功能可以在SiGe BiCMOS中有效實現。根據系統指標要求,可能需要基于GaAs功率放大器和低噪聲放大器,但如果SiGe BiCMOS能夠滿足要求,利用它將能實現較高的集成度。

對于5G毫米波系統,業界希望將微波器件安裝在天線基板背面,這要求微波芯片的集成度必須大大提高。例如,中心頻率為28 GHz的天線的半波陣子間距約為5 mm。頻率越高,此間距越小,芯片或封裝尺寸因而成為重要考慮因素。理想情況下,單波束的整個框圖都應當集成到單個IC中;實際情形中,至少應將上下變頻器和RF前端集成到單個RFIC中。集成度和工藝選擇在某種程度上是由應用決定的,在下面的示例分析中我們將體會到這一點。

示例分析:天線中心頻率為28 GHz,EIRP為60 dBm

此分析考慮一個典型基站天線系統,EIRP要求為60 dBm。使用如下假設條件:

天線陣子增益 = 6 dBi(瞄準線)

波形PAPR = 10 dB(采用QAM的OFDM)

P1dB時的功率放大器PAE = 30%

發射/接收開關損耗 = 2 dB

發射/接收占空比 = 70%/30%

數據流 = 8

各電路模塊的功耗基于現有技術。

該模型以8個數據流為基礎來構建,連接到不同數量的RF鏈。模型中的天線數量以8的倍數擴大,最多512個元件。

圖2顯示了功率放大器線性度隨著天線增益提高而變化的情況。注意:由于開關損耗,放大器的輸出功率要比提供給天線的功率高2 dB。當給天線增加元件時,方向性增益隨著X軸對數值提高而線性提高,因此,各放大器的功耗要求降低。

為了便于說明,我們在曲線上疊加了技術圖,指示哪種技術對不同范圍的天線元件數量最佳。注意:不同技術之間存在重疊,這是因為每種技術都有一個適用的值范圍。另外,根據工藝和電路設計實踐,具體技術可以實現的性能也有一個范圍。元件非常少時,各鏈需要高功率PA(GaN和GaAs),但當元件數量超過200時,P1dB降到20 dBm以下,處于硅工藝可以滿足的范圍。當元件數量超過500時,PA性能處于當前CMOS技術就能實現的范圍。

圖2. 天線增益與功率放大器輸出水平要求的關系

圖2. 天線增益與功率放大器輸出水平要求的關系

現在考慮元件增加時天線Tx系統的功耗,如圖3所示。同預期一樣,功耗與天線增益成反比關系,但有一個限值。超過數百元件時,PA的功耗不再占主導地位,導致效益遞減。

圖3. 天線增益與天線Tx部分直流功耗的關系

圖3. 天線增益與天線Tx部分直流功耗的關系

整個系統的功耗如圖4所示(包括發射機和接收機)。同預期一樣,接收機的功耗隨著RF鏈的增加而線性提高。若將不斷下降的Tx功耗曲線疊加在不斷上升的Rx功耗曲線上,我們會觀察到一個最低功耗區域。

本例中,最低值出現在大約128個元件時?;仡檲D2給出的技術圖,要利用128個元件實現60 dBm的EIRP,最佳PA技術是GaAs。

雖然使用GaAs PA可以實現最低的天線功耗和60 dBm EIRP,但這可能無法滿足系統設計的全部要求。前面提到,很多情況下要求將RFIC放在天線元件的λ/2間距以內。使用GaAs發射/接收模塊可提供所需的性能,但不滿足尺寸約束條件。為了利用GaAs發射/接收模塊,需要采用其他封裝和布線方案。

優先選擇可能是增加天線元件數量以使用集成到RFIC中的SiGe BiCMOS功率放大器。圖4顯示,若將元件數量加倍,達到約256時,SiGe放大器便能滿足輸出功率要求。功耗的增幅很小,而且可以把SiGe BiCMOS RFIC放到天線元件 (28 GHz) 的λ/2間距以內。

將這一做法擴展到CMOS,我們發現CMOS也能實現整體60 dBm EIRP,但從技術圖看,元件數量還要加倍。因此,這種方案會導致尺寸和功耗增加,考慮到電流技術限制,CMOS方法不是可行的選擇。

圖4. 整個天線陣列的直流功耗與天線增益的關系

圖4. 整個天線陣列的直流功耗與天線增益的關系

我們的分析表明:同時考慮功耗和集成尺寸的話,當前實現60dBm EIRP天線的最佳方案是將SiGe BiCMOS技術集成到RFIC中。然而,如果考慮將更低功耗的天線用于CPE,那么CMOS當然是可行的方案。

這一分析是基于當前可用技術,但毫米波硅工藝和設計技術正在取得重大進步。我們預計未來的硅工藝會有更好的能效和更高的輸出功率能力,將能實現更小的尺寸并進一步優化天線尺寸。

隨著5G的到來日益臨近,設計人員將持續遇到挑戰。為毫米波無線電應用確定最佳技術方案時,考慮信號鏈的所有方面和不同IC工藝的各種優勢是有益的。


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